STP310N10F7

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和温升问题而困扰？想象一下，一个能同时承载180A大电流、导通电阻却低至2.7毫欧的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STP310N10F7带来的震撼体验。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战高效率、高功率密度应用的极限而生。

当您将它应用于服务器电源、高性能工业电机驱动或新能源车的车载充电器时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为惊人的节能效果和显著降低的热量积累。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更安静，同时将宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白耗散。在DC-DC转换器或同步整流电路中，它快速的开关性能和优化的栅极电荷（Qg）让高频操作游刃有余，轻松提升整体电源的功率密度和动态响应，帮助您的终端产品在市场竞争中脱颖而出。

选择STP310N10F7，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的可靠承诺。其坚固的TO-220封装能够承受高达315W的功率耗散，宽广的-55°C至175°C结温范围确保它在各种严苛环境下稳定运行。无论是应对突发的电流冲击，还是在持续高负载条件下工作，它都能提供卓越的耐久性和一致性。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能猛兽，我们作为专业的ST芯片代理，不仅能确保原装正品的稳定供应，更能为您提供深入的技术支持与选型指导，让您的创新之路畅通无阻。让STP310N10F7成为您下一个爆款产品的强大心脏，共同开启高效能源利用的新篇章。

• 型号:STP310N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 180A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP310N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。