STP32NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与散热问题而困扰？当系统需要在500V高压下稳定输出22A电流时，传统的MOSFET往往面临效率瓶颈与热管理的严峻挑战。现在，这一切都有了更优解来自ST意法半导体的STP32NM50N，正是为突破这些限制而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，能量转换的每一个环节都至关重要。STP32NM50N凭借其先进的MDmesh II技术，将导通电阻（RdsOn）在11A、10V条件下显著降低至仅130毫欧。这意味着更低的传导损耗，更多的电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。其高达190W（Tc）的功率耗散能力与150°C的结温，让它在严苛的工业环境中也能保持冷静运行，大幅提升了系统的长期可靠性。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是需要持续稳定输出的开关电源，它都能游刃有余。

选择STP32NM50N，不仅是选择了一颗高性能的N沟道MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的功率解决方案。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得驱动设计更为简化，开关速度更快，进一步降低了开关损耗。经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热性能与成熟的安装工艺，让您的生产与维护都更加轻松。当您需要可靠、高效且具成本效益的高压功率开关时，STP32NM50N无疑是经过时间考验的明智之选。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，可以咨询您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供全方位的服务。

• 型号:STP32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP32NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。