STP36NF06

在追求极致效率的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？当系统需要处理高达30A的连续电流，同时又必须保持紧凑和可靠时，选择一颗性能卓越的功率MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍一款历经市场验证的经典之作STP36NF06。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争力的得力伙伴。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或电源管理模块中，这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET正以其出色的性能稳定运行。得益于先进的STripFET II技术，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的40毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是应对工业自动化设备中电机的频繁启停，还是满足消费类电源适配器对高效率和小型化的双重需求，STP36NF06都能游刃有余。其高达60V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它应对严苛环境与复杂工况的非凡韧性，让您的产品在各种应用场景下都表现得稳定而可靠。

为什么众多工程师在面临关键选型时，会持续信赖并选择STP36NF06？答案在于它带来的综合价值。极低的栅极电荷（仅31nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，提升了系统的整体能效，让您的终端产品在能耗表现上脱颖而出。经典的TO-220AB封装不仅提供了优异的散热能力，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与坚固性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用基础以及通过我们ST一级代理渠道可获得的稳定库存支持，使其依然是许多经典设计升级或延续产品生命周期的理想选择。选择STP36NF06，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与性能保障，它能帮助您缩短开发周期，降低系统总成本，最终打造出更高效、更耐用的电力电子解决方案。

• 型号:STP36NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP36NF06的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。