STP3LN80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，您是否曾为高压开关器件的损耗与散热问题所困扰？现在，答案来了。意法半导体凭借其尖端的MDmesh K5技术，为您带来了革命性的解决方案STP3LN80K5。这颗800V耐压的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的提升，更是对电源系统整体性能的一次重塑。它以其卓越的开关特性和超低的导通电阻，将高压应用中的能量损耗降至新低，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器设计中，STP3LN80K5正扮演着能量高效转换的核心角色。其高达800V的漏源电压，为反激式拓扑、功率因数校正（PFC）等高压场合提供了充裕的安全裕量，确保系统在电网波动下依然稳定可靠。而仅2.63nC的低栅极电荷与102pF的输入电容，意味着它拥有极快的开关速度，能显著降低开关损耗，让您的电源工作在更高的频率，从而可以使用更小、更轻的磁性元件，实现整体方案的微型化与轻量化。无论是工业电源、家用电器还是LED驱动，它都能轻松应对，释放设计的无限潜能。

选择STP3LN80K5，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。它传承自意法半导体备受赞誉的MDmesh K5系列，该技术通过优化单元结构和工艺，在降低导通电阻（Rds(on)）与优化动态性能之间取得了完美平衡。这使得它在1A电流、10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为3.25欧姆，有效减少了导通期间的功率耗散，提升了整体效率。其坚固的TO-220封装和高达45W的功率耗散能力，确保了出色的散热性能和长期可靠性。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的官方授权ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STP3LN80K5，它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大引擎。

• 型号:STP3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。