STP40N60M2

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流，却依然保持冷静与高效的“心脏”？答案就在STP40N60M2。这款来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和高达34A的连续电流处理能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、缩小体积并增强可靠性的战略级选择。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高性能电焊机中，能量转换的每一个瞬间都至关重要。STP40N60M2凭借其先进的MDmesh II Plus技术，实现了极低的导通电阻（典型值低至88毫欧），这意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松应对高频开关场景，同时减少驱动损耗和电磁干扰，为整个系统设计的简洁与优雅奠定基础。

选择STP40N60M2，就是选择了一份来自技术前沿的保障。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-220封装带来的出色散热能力，确保了在严苛环境下依然稳定如初。无论是用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）的初级侧，还是不间断电源（UPS）和照明镇流器，它都能游刃有余，显著提升产品的市场竞争力。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是顶级品质的原装产品，更是从选型支持到供应链稳定的一站式安心服务。现在就让它成为您下一个成功设计的核心引擎，释放前所未有的性能与价值。

• 型号:STP40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。