STP410N4F7AG

想象一下，当您的电源转换系统需要处理高达180A的连续电流时，传统的MOSFET是否让您在设计效率和散热方案之间左右为难？现在，这一切都有了更优解。我们隆重推出STP410N4F7AG，这颗来自意法半导体STripFET F7家族的功率器件，正是为突破性能瓶颈而生。它不仅仅是一个参数表上亮眼的组件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠设计的核心引擎。

在当今追求高功率密度和极致效率的工业自动化、服务器电源或新能源车载充电领域，每一瓦的损耗都至关重要。STP410N4F7AG凭借其先进的STripFET F7技术，在40V的漏源电压下，实现了极低的导通电阻，这意味着在相同电流下，它能显著减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达365W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，为您提供了坚实的可靠性基础，让系统在严苛环境下也能稳定运行，延长设备寿命。

为何众多领先企业将STP410N4F7AG作为大电流开关应用的首选？答案在于它带来的综合价值飞跃。它简化了您的热管理设计，降低了散热成本，让整体方案更紧凑、更经济。同时，其优异的开关特性有助于提升系统频率，进一步缩小被动元件的体积，助力您打造出体积更小、功率更强的下一代产品。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。如需获取官方正品与技术支援，我们信赖的合作伙伴ST代理将为您提供全方位的服务。立即采用STP410N4F7AG，让它成为您功率设计中的定海神针，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STP410N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP410N4F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。