STP43N60DM2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP43N60DM2。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2技术的杰出代表，专为应对高压、高频下的严峻挑战而生。其600V的漏源电压和34A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实可靠的功率基石，而93毫欧的超低导通电阻，则意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高效照明和充电桩等应用场景中，STP43N60DM2如何大显身手。它卓越的开关特性，得益于优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能够显著降低开关损耗，让您的系统即使在严苛的高频工作条件下也能保持冷静与稳定。这意味着您可以设计出功率密度更高、体积更小的产品，在市场竞争中脱颖而出。无论是应对工业环境中的电压波动，还是满足消费电子对效率的极致追求，它都能游刃有余。

选择STP43N60DM2，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其TO-220封装兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式，高达250W的功率耗散能力确保了长期运行的可靠性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境。当您需要稳定可靠的供应链和技术支持时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，为您提供从选型到量产的全方位保障。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入强劲竞争力和长期价值的战略决策。

• 型号:STP43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP43N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。