STP4NB100

在追求极致能效与可靠性的高电压应用设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个久经考验的经典解决方案STP4NB100。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达1000V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流，为苛刻的高压环境树立了性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您系统稳定运行的坚实保障，其卓越的PowerMESH技术确保了极低的导通电阻和出色的开关特性，能显著降低能量损耗，让您的产品在效率和温控方面表现脱颖而出。

想象一下，在工业开关电源、UPS不间断电源、电机驱动控制器或是照明镇流器的核心电路中，STP4NB100正默默发挥着关键作用。它坚固的TO-220AB封装和高达125W的功率耗散能力，使其能够从容应对高功率密度设计带来的散热挑战，确保设备在长时间满负荷运行下依然稳定可靠。无论是面对复杂的电网波动，还是严苛的工业环境，这颗芯片都能提供您所需的耐压余量和电流处理能力，让您的设计从容跨越性能门槛，赢得终端用户的持久信赖。

选择STP4NB100，就是选择了一份源自顶级半导体制造商的技术遗产与品质承诺。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上可能存在的库存，依然使其成为特定升级或维护项目的理想选择。当您需要获取这款经典器件或咨询其替代方案时，可以联系专业的ST中国代理，他们能为您提供精准的库存信息、可靠的技术支持以及合规的供应链服务，确保您的项目顺利进行。让STP4NB100的经典性能，继续为您的创新注入强大而稳定的动力。

• 型号:STP4NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NB100的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。