STP4NK60Z

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在有限的成本和空间内，实现系统效率的显著提升与长期稳定运行？答案或许就藏在一颗精心设计的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍来自意法半导体SuperMESH家族的明星产品STP4NK60Z。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、坚固电力转换系统的得力伙伴，其卓越的电气特性与经过市场验证的可靠性，将直接转化为您产品的核心竞争力。

想象一下，在您的开关电源、照明镇流器或电机驱动应用中，STP4NK60Z正以其高达600V的漏源电压和4A的连续电流能力，从容应对各种电压应力和负载变化。其核心的SuperMESH技术带来了革命性的低导通电阻表现，在10V驱动电压下，仅需2欧姆即可导通2A电流，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（典型值26nC）和输入电容，让开关过程更加迅速、干净，显著降低了开关损耗，从而让您的整机效率轻松迈上一个新台阶。无论是追求极致效率的服务器电源，还是需要长时间可靠运行的工业设备，这颗芯片都能让能量转换更加“丝滑”。

选择STP4NK60Z，就是选择了一份安心与价值。它采用经典的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热，其高达70W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了在严苛环境下依然稳定工作。这意味着您的产品将拥有更长的使用寿命和更低的现场故障率，直接提升终端用户的满意度和品牌口碑。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队将随时为您服务，从选型指导到供应链保障，全程助力您的项目成功。让STP4NK60Z成为您下一个爆款产品的“心脏”，驱动创新，赢取市场。

• 型号:STP4NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。