STP50NE10

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载50A大电流、轻松应对100V高压环境的开关核心，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们为您带来的正是这样一款经典而强大的解决方案STP50NE10。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET技术家族的杰出代表，以其卓越的性能和可靠性，在无数严苛的应用中证明了自身价值。

无论是工业电机驱动中需要频繁启停的瞬间，还是服务器电源里要求持续稳定输出的场景，甚至是汽车电子中面对振动与温变的挑战，STP50NE10都能游刃有余。其N沟道设计配合100V的漏源电压，为您构建了一个坚固的开关屏障。高达50A的连续漏极电流能力，意味着它能轻松驾驭大功率负载，而导通电阻低至27毫欧（在25A，10V条件下），直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更高效。这背后是意法半导体先进的MOSFET技术，确保了器件在高达175°C的结温下依然稳定工作。

选择STP50NE10，就是选择了一份经过市场验证的安心。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式，极大简化了您的生产流程。虽然该型号目前已停产，但其卓越的设计和广泛的应用基础，使其在升级换代或特定项目设计中依然具有极高的参考价值和可用性。如果您正在寻找可靠的库存或替代支持，可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供全面的元器件解决方案。让STP50NE10成为您提升产品竞争力、实现高效节能目标的强大助力，开启性能与可靠性的新篇章。

• 型号:STP50NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50NE10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。