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STP52P3LLH6

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STP52P3LLH6参数详情:

在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而妥协?是时候认识一下这款能够重新定义性能标准的功率开关解决方案STP52P3LLH6。它不仅仅是一颗MOSFET,更是意法半导体STripFET H6系列技术的集大成者,专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而生。想象一下,在同样的电路板空间内,实现更低的导通损耗、更快的开关速度和更出色的热管理,这不仅仅是参数的提升,更是您产品整体竞争力的飞跃。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流,还是电动工具中需要爆发力与持久性的电机驱动,甚至是不断小型化的车载充电器(OBC)和DC-DC转换器,STP52P3LLH6都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达52A的连续漏极电流能力,为中等电压、大电流应用场景提供了坚实的保障。TO-220的经典封装形式,兼顾了优异的散热性能与成熟的工艺可靠性,让您的设计在性能与成本之间找到最佳平衡点。选择它,意味着为您的产品注入了工业级的耐久基因。

为什么众多领先的设计师都将目光投向STripFET H6系列?答案在于其深入骨髓的价值主张。在4.5V的低栅极驱动电压下即可实现优异的导通电阻,这不仅降低了对驱动电路的要求,更直接提升了系统的整体效率,让每一瓦电力都物尽其用。高达70W的功率耗散能力,确保了芯片在重载工作下的稳定与冷静。当您寻求稳定可靠的供货与深入的技术支持时,通过专业的ST中国代理进行采购与合作,将成为您项目顺利推进的坚强后盾。选择STP52P3LLH6,不仅是选择了一颗高性能的MOSFET,更是选择了一个值得信赖的合作伙伴,以及一个能够助力您的产品在市场中脱颖而出的强大引擎。

  • 型号:STP52P3LLH6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • STP52P3LLH6的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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