STP57N65M5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与散热问题而困扰？当系统需要处理650V高压、承载数十安培电流时，传统的MOSFET往往在效率与温升之间难以平衡。现在，这一切有了更优解让我们向您介绍意法半导体MDmesh V系列中的明星产品：STP57N65M5。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有高达650V的漏源击穿电压和42A的连续漏极电流能力，为您的高压大功率应用筑起坚实的安全屏障。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅63毫欧的Rds(on)值，意味着更少的导通损耗，更多的电能被高效转化为有用功，直接为您节省能源成本，并显著降低散热系统的压力。无论是工业电机驱动、服务器电源、光伏逆变器，还是电动汽车充电桩，STP57N65M5都能游刃有余地应对严苛工况，确保系统稳定、安静且持久地运行。

选择STP57N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，MDmesh V结构优化了开关特性，98nC的低栅极电荷让开关速度更快、损耗更低，从而轻松实现更高频率的设计，帮助您缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。其坚固的TO-220封装和高达250W的功率耗散能力，确保了出色的热性能和机械可靠性。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，遍布全球的授权ST代理商网络随时准备为您服务，从样品申请到批量供应，全程护航您的项目成功。立即体验STP57N65M5带来的性能飞跃，为您的下一个设计注入强劲动力与市场信心！

• 型号:STP57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP57N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。