STP5NK40Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STP5NK40Z，这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、优化系统效率的关键赋能者。

想象一下，在开关电源、照明镇流器或是电机驱动等应用的核心位置，一颗功率器件需要承受高达400V的电压考验，同时流畅地处理3A的连续电流。STP5NK40Z凭借其先进的SuperMESH技术，将低导通电阻（典型值仅1.8欧姆）与快速的开关特性完美结合，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效。其坚固的TO-220AB封装确保了出色的散热能力，功率耗散高达45W，让您的设计即使在-55°C到150°C的严苛温度范围内也能稳定运行，大大延长了设备的使用寿命和可靠性。

当您着手为工业控制、消费类电源适配器或家用电器中的功率转换单元选型时，选择STP5NK40Z意味着选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定性。它10V的标准驱动电压使其易于集成到常见的控制电路中，而极低的栅极电荷（仅17nC）则显著降低了驱动电路的负担，让开关动作更加迅速、精准。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能记录，使其成为特定存量项目或对经典方案有需求的工程师们的理想选择。如需获取库存或替代方案咨询，专业的ST代理商将为您提供详尽的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。

• 型号:STP5NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK40Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。