STP5NK60Z

在追求更高能效和更可靠性能的电源设计领域，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在紧凑的空间内实现强大的功率处理能力，同时确保系统在严苛环境下依然稳定运行？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您介绍一款集卓越性能与高可靠性于一身的功率开关解决方案STP5NK60Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，为您打开了通往高效、紧凑、耐用设计的大门。

想象一下，无论是家用电器中的开关电源、工业自动化设备的电机驱动，还是LED照明系统的功率转换单元，STP5NK60Z都能以其出色的表现成为您设计的核心动力。它采用了先进的SuperMESH技术，这意味着在相同的封装尺寸下，它能提供更低的导通电阻（典型值仅1.6欧姆@2.5A，10V），从而显著降低导通损耗，提升整体系统效率。更低的损耗直接转化为更少的热量，这不仅延长了元件自身寿命，也让您的终端产品运行更凉爽、更安静、更持久。

选择STP5NK60Z，就是选择了一份从容与安心。其高达90W的功率耗散能力（Tc条件下）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，轻松应对各种电压尖峰和温度波动。TO-220AB的经典通孔封装，既保证了优异的散热性能，也简化了生产装配流程。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，请务必联系官方授权的ST一级代理，他们能为您提供原厂正品和专业的选型指导。这颗芯片不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场信赖的可靠伙伴。让它为您的下一个创新项目注入强劲而高效的动力。

• 型号:STP5NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。