STP5NK65ZFP

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统成本之间的艰难平衡？今天，我们为您带来一个历经市场验证的经典解决方案STP5NK65ZFP。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和SuperMESH技术的深厚底蕴，专为应对严苛的开关环境而生。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、确保长期稳定运行的信心基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器、电机驱动等应用中，STP5NK65ZFP能够轻松驾驭高压侧开关任务。其高达4.5A的连续漏极电流和仅为1.8欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。这颗芯片就像一位沉默而强大的守护者，在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备无论是面对严寒还是酷热，都能持续输出澎湃动力。TO-220FP的封装形式兼顾了散热性能与安装便利性，让您的PCB布局更加游刃有余。

选择STP5NK65ZFP，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠保障。虽然其已进入停产状态，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场认可度，现有库存和渠道备货依然是您升级或维护现有项目的宝贵资源。其10V的标准驱动电压和优化的栅极电荷（Qg仅35nC），让驱动电路设计变得简单高效，有效降低了开关损耗，提升了系统频率响应。当您需要为关键项目寻找一个值得信赖的高压开关元件时，这颗芯片的价值不言而喻。我们作为专业的ST一级代理，不仅提供正品保障，更能为您提供全面的技术支持和供应链服务，助您将这款经典器件的性能发挥到极致，为您的产品注入持久可靠的灵魂。

• 型号:STP5NK65ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP5NK65ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。