STP60NE06L-16

当您的电源转换系统需要处理高达60A的电流时，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，这一切都将迎刃而解。我们隆重推出意法半导体的STP60NE06L-16，这颗基于先进STripFET技术的N沟道功率MOSFET，正是为高效能、高可靠性应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低运营成本、并赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动控制板上，它能够以极低的导通电阻（仅14毫欧）承载大电流，将更多的电能转化为有用的机械能，而非无谓的热量。在DC-DC转换器或同步整流应用中，其快速的开关特性和优化的栅极电荷（Qg）意味着更低的开关损耗，让您的电源设计轻松突破效率瓶颈。无论是工业自动化设备中的伺服驱动器，还是不间断电源（UPS）和电焊机中的功率级，STP60NE06L-16都能提供稳定、强劲的动力核心，确保设备在严苛环境下持续稳定运行。

选择它，就是选择了一份经得起考验的承诺。TO-220AB的经典封装提供了卓越的散热能力和便捷的通孔安装方式，而高达175°C的结温（TJ）和150W的功率耗散能力，则赋予了产品无与伦比的鲁棒性。这意味着您的设计将拥有更宽的安全裕度和更长的使用寿命。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在库存充足的情况下，依然是许多经典或特定延续性项目的理想选择。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行采购。让STP60NE06L-16成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效能、高可靠性的新篇章。

• 型号:STP60NE06L-16
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60NE06L-16的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。