STP6N65M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统可靠性难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个经过市场验证的成熟解决方案STP6N65M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其650V的卓越耐压能力和MDmesh技术的深厚底蕴，正是为帮助您攻克这些难题而生。它不仅是一颗性能稳定的分立器件，更是您提升产品竞争力的可靠基石。

想象一下，在您的开关电源、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STP6N65M2正扮演着能量高效转换的核心角色。其高达4A的连续漏极电流和仅为1.35欧姆的低导通电阻，意味着在相同功率下，它能有效降低导通损耗，让系统运行得更“冷静”，从而显著提升整体效率并延长设备寿命。无论是工业电源、家用电器还是照明系统的驱动部分，这颗芯片都能提供稳定、高效的能量开关控制，让您的设计在性能和成本之间找到最佳平衡点。

选择STP6N65M2，意味着您选择了一份经过时间考验的可靠性与ST领先技术的双重保障。其MDmesh结构专为优化开关性能与降低栅极电荷而设计，9.8nC的低Qg值有助于简化驱动电路设计，实现更快的开关速度，从而提升系统响应。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典或长生命周期产品升级、维护或备货的优选。通过值得信赖的ST授权代理进行采购，您不仅能确保获得原装正品，还能获得专业的技术支持与供应链服务，让您的项目推进更加安心、顺畅。让这颗性能扎实的功率器件，成为您打造高效、可靠电力电子系统的得力助手。

• 型号:STP6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。