STP6NK90Z

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能保证稳定可靠，又能兼顾高效节能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STP6NK90Z。这款采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，以其高达900V的漏源击穿电压和5.8A的连续漏极电流，为您构筑起一道坚固的电力防线。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的秘密武器。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源系统中，STP6NK90Z正发挥着核心作用。其卓越的高压耐受能力，让您的设备在面对电网波动或复杂负载时稳如磐石，极大提升了系统的可靠性和使用寿命。同时，极低的导通电阻（典型值仅2欧姆@10V驱动）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接帮助您实现更高的能效等级，满足日益严格的绿色节能法规要求。这颗芯片的强大，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择STP6NK90Z，就是选择了一份安心与远见。它传承了意法半导体在功率器件领域数十年的深厚积淀，SuperMESH技术确保了其在高压下依然拥有出色的开关特性和雪崩耐量。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，非常适合功率密度要求高的应用。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP6NK90Z成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢取未来。

• 型号:STP6NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。