STP7N105K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性的平衡难题？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP7N105K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其高达1050V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚固的屏障。它不仅仅是参数的堆砌，更是ST SuperMESH5技术家族的杰出代表，意味着更低的导通电阻、更快的开关速度和卓越的耐用性，能显著降低开关损耗和温升，让您的产品在激烈的市场竞争中，以更高的效率和更长的寿命脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源甚至新能源领域的充电模块中，STP7N105K5正发挥着核心作用。它那仅2欧姆的最大导通电阻（在10V驱动下），意味着更小的导通损耗，电能得以更高效地传输；而极低的栅极电荷（仅17nC）则确保了快速的开关响应，这对于提升系统频率、减小磁性元件体积至关重要。在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它都能稳定工作，配合经典的TO-220封装，散热设计游刃有余，轻松应对严苛的工业环境挑战，让您的设计从容不迫。

选择STP7N105K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与性能保障。它不仅能简化您的高压侧开关设计，更能通过提升整体能效，为终端产品带来显著的附加值。当您需要可靠、高性能的功率器件时，与值得信赖的ST芯片代理合作，确保您获得正品货源与专业的技术支持，是项目成功的关键一步。让STP7N105K5成为您下一个明星产品的强大“心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STP7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N105K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。