STP80NF10

在追求极致效率的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够承载80A大电流、同时保持极低导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。现在，答案就在眼前STP80NF10，这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，正是为高性能、高可靠性应用而生的卓越解决方案。

它绝不仅仅是一个简单的开关。当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器时，其100V的漏源电压和仅15毫欧的超低导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体效率得到显著提升。在电动汽车的电池管理系统、不间断电源（UPS）或是高密度LED照明驱动中，它都能稳定可靠地工作，轻松应对严苛的工业环境温度范围，从零下55度到高达175度的结温，确保您的产品在任何条件下都坚如磐石。

选择STP80NF10，就是选择了一份放心的保障。它采用了意法半导体引以为傲的STripFET II技术，这项技术优化了芯片的单元结构，在相同的硅片面积上实现了更低的Rds(on)和更优的开关特性。这意味着您可以用更小的体积，实现更大的功率吞吐，同时得益于其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），驱动电路的设计将变得更加简单高效，系统开关速度更快，整体性能自然脱颖而出。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅为您提供原装正品，更能提供专业的技术支持，帮助您将这颗强大芯片的潜力发挥到极致，让您的产品在市场竞争中赢得关键的性能优势。

• 型号:STP80NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:182 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。