STP85NF55L

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热难题而妥协？想象一下，一款能够同时驾驭高达80A电流与55V电压的功率开关，其导通电阻低至惊人的8毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。这就是来自意法半导体STripFET II家族的明星产品STP85NF55L，它正以其卓越的性能，重新定义中高功率应用的能效标准。

无论是驱动一台强劲的工业电机，还是为复杂的服务器电源单元提供核心开关，亦或是在新能源车的车载充电器中扮演关键角色，STP85NF55L都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和高达300W的功率处理能力，意味着它能在各种严苛环境下稳定运行，让您的产品无惧挑战。当您需要构建一个高效、紧凑且可靠的功率系统时，这颗芯片就是您值得信赖的基石，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，直接转化为产品的市场竞争力和用户的长期价值。

选择STP85NF55L，就是选择了一份经过市场验证的性能保障。其TO-220AB的经典封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，运行更安静。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量市场和高端替代方案中依然极具价值。为确保您获得原装正品与可靠供应，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目长期稳定运行的坚实后盾。让STP85NF55L成为您下一个成功设计的强大心脏。

• 型号:STP85NF55L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP85NF55L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。