STP8NK80ZFP

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STP8NK80ZFP，这颗集高性能与高可靠性于一身的N沟道MOSFET，将彻底改变您对高压功率开关的认知。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源等高压应用场景中，STP8NK80ZFP如同一位不知疲倦的超级卫士。它凭借高达800V的漏源击穿电压和6.2A的连续漏极电流，轻松应对严苛的电压应力与电流挑战。其核心的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与超低的栅极电荷（Qg），这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您的竞争对手还在为散热设计焦头烂额时，您已经凭借这颗芯片的卓越性能，打造出运行更凉爽、寿命更长久、能效比更出众的终端产品。

选择STP8NK80ZFP，就是选择了一份从容与安心。它采用坚固的TO-220FP封装，提供了优异的功率耗散能力（高达30W），确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，适应从消费电子到工业控制的多样化环境。其优化的动态特性，如快速的开关速度和稳健的雪崩耐量，让您的系统在面对浪涌和异常工况时更具韧性。无论是升级现有方案还是开发全新平台，它都能让您的设计过程事半功倍。如果您正在寻找值得信赖的供应伙伴，我们的ST芯片代理服务将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位保障，让创新之路畅通无阻。立即采用STP8NK80ZFP，开启高效、可靠、节能的电源设计新篇章！

• 型号:STP8NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP8NK80ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。