STP95N4F3

想象一下，当您的电源转换系统需要处理高达80A的电流时，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，这一切都将迎刃而解。我们隆重推出意法半导体的新一代功率开关解决方案STP95N4F3，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统效率、降低整体成本的秘密武器。凭借其革命性的STripFET III技术，这颗芯片在性能与可靠性之间达到了前所未有的平衡，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业电机驱动、服务器电源，还是高功率DC-DC转换器，STP95N4F3都能游刃有余。其40V的漏源电压和80A的连续漏极电流，为严苛的应用环境提供了坚实的保障。更令人惊叹的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的6.2毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。当系统在高效运行时，您能直观地感受到能耗的显著下降和稳定性的全面提升，这正是卓越工程带来的价值体现。

选择STP95N4F3，就是选择了一份安心与高效。其极低的栅极电荷（仅54nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，让您的系统响应更加敏捷。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的TO-220AB封装，赋予了它无与伦比的环境适应性和耐用性。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货支持时，选择一家资深的ST芯片代理至关重要，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP95N4F3成为您下一个成功项目的核心动力，开启高效、可靠、节能的新篇章。

• 型号:STP95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP95N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。