STP9N80K5

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够完美解决这一难题的功率开关解决方案STP9N80K5。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5系列技术的杰出代表，旨在为您的设计注入前所未有的活力与可靠性。其800V的卓越耐压能力和优化的动态特性，意味着在严苛的工业环境中，它能为您构筑起坚固的性能堡垒，让每一次开关都精准而高效，显著降低系统整体能耗，直接转化为您的产品竞争力与客户价值。

无论是面对工业电机驱动中频繁的启停与调速，还是开关电源中需要处理的高压直流转换，STP9N80K5都能游刃有余。它那高达7A的连续漏极电流和低至900毫欧的导通电阻，确保了在传导过程中的损耗被降至最低，让电能更纯粹地转化为动力或稳定的输出。在照明系统、电焊机、不间断电源（UPS）等应用场景里，这颗芯片的出色表现意味着更长的设备寿命、更低的运行温度以及更安静的工作状态。选择它，就是为您的终端产品选择了经久耐用的品质承诺和卓越的用户体验。

为何众多领先的设计师都信赖并选择STP9N80K5？答案在于其背后强大的技术基因与无与伦比的性价比。MDmesh K5技术带来了更优的栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qoss）比值，这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件体积可以更小，从而实现整个电源模块的小型化与轻量化。TO-220的经典封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，简化了您的生产流程。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将确保您获得正品保障与及时的服务响应。让STP9N80K5成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 制造商产品型号：STP9N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP9N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。