STP9NM60N

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，一个成熟的解决方案正静待您的发掘。让我们将目光投向历经市场验证的STP9NM60N，这颗基于ST意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和6.5A的连续电流能力，为诸多中功率应用场景提供了坚实而高效的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体表现、实现稳定运行的关键拼图。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，或者在照明驱动的PFC电路中，快速而干净的开关动作对于效率和电磁兼容性至关重要。STP9NM60N凭借其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能够显著降低开关损耗，让您的电源设计在高效与温升控制之间找到完美平衡。无论是家用电器中的辅助电源、工业控制板的供电模块，还是电机驱动中的逆变单元，它都能游刃有余地应对，将电能以最小的代价进行精准转换与控制。

选择STP9NM60N，意味着您选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺与成熟技术的积淀。其TO-220AB的经典封装形式，为工程师提供了熟悉的安装与散热接口，极大简化了从设计到生产的过渡。虽然它已不适用于全新的设计项目，但对于大量正在生产或需要维护升级的成熟产品而言，它依然是可靠且具性价比的优选。为确保您获得原装正品与专业的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。让这颗久经考验的功率芯片，继续为您的产品注入稳定、高效的能量，助您在市场竞争中保持持久的生命力与可靠性。

• 型号:STP9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。