STPLED524

当您的电源设计需要在高电压环境下保持稳定高效时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与可靠性的开关器件而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STPLED524，这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达525V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为您的高压应用注入强大心脏。它不仅仅是一个参数，更是您产品性能飞跃的基石，让您在激烈的市场竞争中，凭借卓越的电源效率和稳定性脱颖而出。

想象一下，在LED照明驱动、工业开关电源或家用电器功率转换模块中，STPLED524正发挥着核心作用。其极低的导通电阻（典型值2.6欧姆@10V驱动）意味着更小的导通损耗和发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是应对严苛的工业环境温度（-55°C至150°C），还是需要长时间稳定运行的消费类产品，这颗芯片都能轻松胜任，确保您的设计从原型到量产，始终如一地可靠。

选择STPLED524，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的精湛工艺确保了器件参数的一致性，而成熟的TO-220封装则为您提供了便捷的通孔安装方式和出色的散热能力。更令人安心的是，通过权威的ST中国代理进行采购，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持和快速的供货服务，彻底解决您的后顾之忧。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为您的产品价值与市场成功所做的关键投资。

• 制造商产品型号：STPLED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STPLED524的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。