STPSC10H065G-TR

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为传统硅基二极管的开关损耗和发热问题所困扰？想象一下，如果有一种解决方案能彻底消除反向恢复损耗，将系统效率提升到一个全新高度，那将为您的产品带来怎样的竞争优势？现在，这一切已成为现实。让我们向您隆重介绍意法半导体推出的革新性碳化硅肖特基整流器STPSC10H065G-TR。它不仅仅是一个元件，更是您迈向高效、紧凑、可靠电源系统的关键钥匙。

这款芯片的核心魅力在于其采用的先进碳化硅技术。与普通硅二极管截然不同，它实现了理论上“零”反向恢复时间（0ns），这意味着在高速开关过程中，几乎没有能量以热量的形式被浪费掉。高达650V的反向耐压和10A的平均整流电流能力，使其在严苛的高压环境下游刃有余，而仅1.75V@10A的低正向压降，进一步减少了导通损耗。无论是服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器，还是电动汽车的车载充电机，STPSC10H065G-TR都能让您的系统运行得更凉爽、更安静、更持久。其DPAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合高功率密度设计。

选择STPSC10H065G-TR，就是选择为您的产品注入未来科技基因。它能让您轻松突破传统效率瓶颈，在相同的空间内实现更高的功率输出，或者以更小的散热器满足性能要求，从而显著降低系统整体成本和体积。其卓越的可靠性确保了终端产品在长期运行中的稳定表现，极大提升了客户满意度和品牌价值。当您致力于打造领先市场的电源解决方案时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。我们作为专业的ST一级代理，不仅确保您能稳定获取这款前沿产品，更能提供深度的技术支持和选型服务，助您将技术优势快速转化为市场胜势。

• 型号:STPSC10H065G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC10H065G-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。