STPSC15H12D

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和发热问题而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出STPSC15H12D，这是一款基于尖端碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管，它将彻底改变您对功率整流器的认知。想象一下，在1200V的高压下，实现近乎为零的反向恢复时间，这意味着开关损耗的大幅降低和系统频率的显著提升，让您的电源设计不再受限于传统器件的性能瓶颈。

这款芯片的卓越性能，使其在众多高要求应用场景中游刃有余。无论是服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器，还是电动汽车的车载充电机，STPSC15H12D都能成为系统高效、可靠运行的核心保障。它能够轻松应对频繁开关的严苛环境，确保能量转换过程平滑、高效，从而帮助您的终端产品获得更长的使用寿命、更小的体积和更低的整体运营成本。选择它，就是为您的产品注入了面向未来的竞争力。

那么，为何众多工程师将STPSC15H12D作为升级换代的首选？理由清晰而有力。首先，其碳化硅肖特基结构带来了革命性的“零反向恢复”特性，彻底消除了开关过程中的拖尾电流，这不仅提升了效率，还简化了散热设计。其次，高达15A的平均整流电流和1200V的耐压等级，提供了宽裕的设计余量和极高的可靠性。最后，经典的TO-220AC封装确保了优异的散热能力和便捷的安装工艺。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST芯片代理网络，将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STPSC15H12D，迈出通往更高能效未来的关键一步。

• 型号:STPSC15H12D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 15 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:1200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC15H12D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。