STPSC2H065B-TR

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为传统硅二极管的高开关损耗和反向恢复问题而烦恼？想象一下，如果有一种解决方案能够将开关损耗降低高达80%，同时显著提升系统可靠性，这将对您的产品竞争力产生怎样的飞跃？这正是STPSC2H065B-TR碳化硅肖特基二极管为您带来的核心价值。作为ST意法半导体在宽禁带半导体领域的杰出代表，它不仅仅是一个元件，更是您迈向高效率、高功率密度未来的关键钥匙。

这颗芯片的卓越性能，在各类严苛的应用场景中都能大放异彩。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化、长续航的新能源汽车车载充电机（OBC）和光伏逆变器，它都能轻松应对。其高达650V的反向电压和2A的平均整流电流，为您的设计提供了坚实的保障。更重要的是，它彻底消除了传统快恢复二极管恼人的反向恢复问题，实现了“零反向恢复”的开关特性。这意味着在高速开关的电路中，您将不再受到反向恢复电流带来的额外损耗和电磁干扰（EMI）困扰，系统运行更安静、更凉爽，整体效率得到质的提升。

选择STPSC2H065B-TR，就是选择一种面向未来的设计哲学。它极低的正向压降（仅1.55V @ 2A）和微乎其微的反向漏电流（20A @ 650V），直接转化为更低的导通损耗和更高的待机效率，让您的产品在能效标准日益严格的市场上脱颖而出。其表面贴装（TO-252-3 DPAK）的封装形式，兼容主流生产工艺，让升级换代变得简单易行。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的ST代理商网络将是您坚实的后盾。从原型设计到批量生产，这颗碳化硅肖特基二极管都能帮助您构建更高效、更紧凑、更可靠的电源系统，最终赢得客户的信赖与市场的先机。

• 型号:STPSC2H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):2A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 2 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:135pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC2H065B-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。