STPSC2H12B2Y-TR

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和温度敏感性而困扰？现在，让我们向您介绍一个革命性的解决方案STPSC2H12B2Y-TR。这颗来自ST意法半导体的碳化硅肖特基二极管，以其高达1200V的阻断电压和几乎为零的反向恢复电荷，正在重新定义功率转换的边界。它不仅是一个元件，更是您提升系统效率、缩小体积并增强可靠性的关键钥匙，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在电动汽车的车载充电机中，STPSC2H12B2Y-TR能够以高达2A的连续电流和5A的平均整流电流稳定工作，其快速恢复特性（<500ns）显著降低了开关损耗，这意味着更快的充电速度、更低的发热和更长的续航里程。在工业服务器电源或太阳能逆变器中，它1200V的高压耐受能力和仅1.5V@2A的低正向压降，直接转化为更高的系统效率和更出色的热管理，让您的设备在严苛环境下依然保持冷静与高效。无论是追求功率密度的通信电源，还是对寿命和稳定性有严苛要求的汽车级应用，它都能游刃有余。

选择STPSC2H12B2Y-TR，就是选择了一份面向未来的技术保障。其碳化硅（SiC）材料特性带来了近乎理想的反向恢复性能，从根本上解决了传统快恢复二极管的损耗难题。DPAK表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。作为一款“有源”状态的成熟车规级产品，它通过了严苛的可靠性验证，为您产品的长期稳定运行保驾护航。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，遍布全球的ST代理网络将是您坚实的后盾。立即采用STPSC2H12B2Y-TR，不仅仅是升级一个部件，更是为您的整个系统注入高效、可靠与创新的核心动力，开启能效革命的新篇章。

• 型号:STPSC2H12B2Y-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 2 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:190pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC2H12B2Y-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。