STPSC6H065B-TR

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和发热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STPSC6H065B-TR。这款来自ST意法半导体的碳化硅肖特基整流器，以其高达650V的阻断电压和6A的额定电流，正在为电源、太阳能逆变器、工业电机驱动等领域注入前所未有的活力与效率。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场竞争的关键钥匙。

想象一下，在您的服务器电源或通信电源中，开关频率可以提得更高，而损耗却大幅降低，系统体积得以缩小，散热设计变得前所未有的简单。这正是STPSC6H065B-TR带来的现实价值。它采用了先进的碳化硅技术，实现了“零反向恢复时间”的惊人特性，这意味着在开关过程中几乎没有拖尾电流，开关损耗极低。无论是面对PFC电路、LLC谐振转换器，还是需要高效续流的桥式拓扑，它都能确保能量转换过程干净利落，让您的整机效率轻松突破95%甚至更高，同时显著降低电磁干扰，提升系统可靠性。

选择STPSC6H065B-TR，就是选择了一种面向未来的设计思路。其1.75V@6A的正向压降在同类产品中表现出色，确保了导通损耗的最小化。表面贴装的DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。更重要的是，其高达650V的耐压为您提供了充足的设计裕量，从容应对电网波动和各种严苛的工业环境。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的ST一级代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。从今天起，让STPSC6H065B-TR成为您高效、紧凑、可靠电源设计的核心支柱，共同开启绿色能源转换的新篇章。

• 型号:STPSC6H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:300pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC6H065B-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。