STR2P3LLH6

当您的设计需要在有限空间内实现高效电源管理时，是否曾为寻找一颗性能与尺寸完美平衡的开关器件而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STR2P3LLH6，这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，正是为应对现代电子设备对高密度、高效率的严苛要求而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您释放产品潜能、提升市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或智能穿戴产品中，STR2P3LLH6正默默发挥着核心作用。其30V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，为负载开关、电源路径管理和电池保护电路提供了坚实可靠的基础。得益于STripFET H6系列先进的工艺技术，它在仅需4.5V的低驱动电压下，就能实现极低的导通电阻（典型值仅56毫欧@1A,10V），这意味着更少的功率损耗和更长的电池续航。无论是快速响应的电机驱动，还是需要精密控制的LED背光调节，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择STR2P3LLH6，就是选择了一份安心与高效。其超低的栅极电荷（仅6nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻而易举。表面贴装的SOT-23封装，在节省宝贵PCB空间的同时，确保了出色的散热性能和焊接可靠性。高达150°C的结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和稳定性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程专业服务。让STR2P3LLH6成为您下一个爆款产品的“心脏”，共同开启能效新纪元。

• 型号:STR2P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• STR2P3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。