STS10DN3LH5

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在更小的空间内实现更高的效率和更强的控制力？这正是STS10DN3LH5双N沟道MOSFET为您带来的核心价值。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统性能、优化设计布局的得力助手。凭借意法半导体先进的STripFET V技术，这颗芯片在导通电阻与栅极电荷之间取得了卓越的平衡，这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的整体能效和更出色的热管理。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的负载开关，还是需要精密控制的电机驱动单元，STS10DN3LH5都能轻松胜任。其逻辑电平门驱动特性，使其能够与当今主流的微控制器和数字信号处理器无缝对接，大大简化了您的驱动电路设计。在空间受限的便携式设备、高密度的服务器电源模块或是自动化设备的核心驱动板上，它都能稳定可靠地工作，确保您的产品在激烈的市场竞争中拥有持久的动力和可靠性优势。

选择STS10DN3LH5，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。其30V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，为大多数中低压应用提供了充足的余量。极低的导通电阻（典型值）确保了在电流通过时最小的电压降和热量产生，而优化的栅极电荷则让开关动作干净利落，减少了开关损耗。所有这些特性都封装在一个标准的8-SOIC封装内，易于焊接和自动化生产。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，可以通过专业的ST代理获取这颗芯片及其完整的设计资源，让您的产品从蓝图到量产一路畅通。

• 型号:STS10DN3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS10DN3LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。