STS10P3LLH6

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们为您介绍一个颠覆性的选择STS10P3LLH6。这款来自ST意法半导体的P沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET H6技术，将高性能与高密度完美融合，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在您的便携式设备、电池保护板或DC-DC转换器中，一颗芯片如何同时担当重任。STS10P3LLH6正是为此而生。其30V的漏源电压和高达10A的连续漏极电流，为负载开关、电机驱动和电源路径管理提供了坚实的保障。更令人振奋的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的12毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率并延长了电池寿命。无论是需要频繁开关的移动电源，还是对温升敏感的车载充电器，它都能游刃有余，稳定运行。

选择STS10P3LLH6，就是选择了一份安心与高效。其仅33nC的低栅极电荷，显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻松自如。表面贴装的8-SO封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定发挥。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，联系专业的ST代理商，将是您获取这颗明星芯片并启动成功设计的最佳途径。让STS10P3LLH6成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STS10P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS10P3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。