STS2DPF80

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一个仅8-SOIC封装的微小身躯，却能承载80V高压与2A连续电流，同时将导通电阻控制在惊人的低水平这正是STS2DPF80为您带来的现实。它不仅仅是一颗双P沟道MOSFET，更是ST意法半导体STripFET技术家族的杰出代表，专为那些对效率、尺寸和可靠性有严苛要求的应用而诞生。

无论是便携式设备中的负载开关、电池保护电路，还是工业自动化里的电机驱动辅助、电源极性保护，STS2DPF80都能游刃有余。其逻辑电平门控特性，让您可以直接用微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动，极大地简化了系统设计。在DC-DC转换器、OR-ing功能模块中，它出色的开关性能和低栅极电荷，能显著降低开关损耗，提升整体能效，让您的产品在竞争中脱颖而出。即便面对紧凑的PCB布局，其表面贴装设计和行业标准的8-SOIC封装，也让批量生产和自动化焊接变得轻松高效。

选择STS2DPF80，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与ST领先工艺的保障。虽然该型号目前已停产，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获取库存，为现有产品线的维护与升级提供稳定支持。它高达150°C的结温工作能力和2.5W的功率处理能力，确保了在恶劣环境下的稳定运行。当您需要一款能够以最小空间占用实现强大功率控制功能的双MOSFET时，STS2DPF80无疑是一个经过时间考验的智慧之选，它能帮助您优化成本、提升性能，并加速产品上市进程。

• 型号:STS2DPF80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:80V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:739pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS2DPF80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。