STS4NF100

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升开关速度的MOSFET，将如何为您的产品注入强劲动力与持久耐力。现在，答案就在STS4NF100之中。

源自ST意法半导体久经考验的STripFET II技术平台，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的电气性能，重新定义了100V电压等级下的效率标杆。其低至70毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热量，直接助力您的系统实现更低的温升和更高的可靠性。无论是紧凑型开关电源（SMPS）中的初级侧开关，还是电机驱动、DC-DC转换器中的关键功率路径，STS4NF100都能游刃有余，确保能量以最流畅、最经济的方式传递。

当您的设计面临空间与性能的双重挑战时，STS4NF100的8-SO表面贴装封装提供了完美的解决方案。它不仅能轻松融入高密度的PCB布局，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，更能让驱动电路设计变得简单高效，有效降低开关损耗，提升系统整体频率响应。这意味着您的产品不仅能跑得更快、更稳，还能在从-55°C到150°C的严苛工作温度范围内保持稳定输出，从容应对各种环境考验。

选择STS4NF100，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过全球市场验证的可靠技术伙伴。它承载着ST在功率半导体领域的深厚积淀，旨在帮助工程师突破效率瓶颈，缩短开发周期。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的设计理念和性能表现依然在相关应用中闪耀光芒。若您正在寻找具有类似或更优性能的替代方案或进行库存管理，可以随时咨询专业的ST代理，他们能为您提供最新的产品线信息和全面的技术支持，确保您的供应链与创新步伐同样稳健。

• 型号:STS4NF100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS4NF100的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。