STSJ25NF3LL

您是否正在为电源转换效率的微小提升而绞尽脑汁？在追求极致能效的今天，每一毫欧的导通电阻都至关重要。这正是STSJ25NF3LL诞生的意义它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎。基于ST意法半导体成熟的STripFET II技术，这颗N沟道功率器件将卓越的电气性能与紧凑的封装完美结合，旨在为您的设计注入澎湃而高效的动力。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器、高效的电机驱动模块或是高密度的负载点电源中，STSJ25NF3LL能够大显身手。它高达25A的连续漏极电流承载能力和低至10.5毫欧的导通电阻，意味着在同等功率下，它能显著降低导通损耗，减少热量产生，从而让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是提升电动工具的动力响应，还是优化服务器电源的能源利用率，它都能成为您可靠的能量开关。

选择它，就是选择了一种经过市场验证的稳健方案。其4.5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松兼容多种控制逻辑，简化您的驱动电路设计。同时，高达150°C的结温工作能力和70W的强大功率耗散，赋予了产品出色的鲁棒性和环境适应性。当您需要稳定可靠的供货与技术支援时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这不仅保障了元器件的原装正品与可靠来源，更能获得专业的选型支持。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定升级、备件维护或成本优化项目中，依然是一个极具价值的经典选择，能帮助您以成熟的方案快速实现产品性能的飞跃。

• 型号:STSJ25NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STSJ25NF3LL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。