STU2NK100Z

当您需要一款能在高压环境下稳定工作，同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为选型而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STU2NK100Z。这款N沟道MOSFET以其高达1000V的漏源电压和卓越的开关性能，重新定义了中高压应用场景下的能效标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STU2NK100Z都能轻松应对主功率开关的严苛要求。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源系统在满载与轻载下都能保持高效率，轻松满足日益严苛的能效法规。在工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用中，它出色的热性能（最大功率耗散70W）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了系统在恶劣环境下依然稳定如山，大幅延长了设备的使用寿命。

选择STU2NK100Z，就是选择了一份由意法半导体强大技术实力背书的安心与高效。SuperMESH技术带来的超低导通电阻特性，在高压下显著降低了导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。其坚固的I-PAK通孔封装，不仅提供了优异的散热能力，也简化了PCB布局和组装流程。无论您是经验丰富的工程师，还是正在寻找可靠方案的决策者，这颗芯片都能以卓越的性能和价值，加速您的产品上市进程。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的合作伙伴ST代理商网络随时准备为您提供专业、快捷的服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STU2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。