STU6N60DM2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？是时候认识一下这颗为高效而生的大功率开关管了STU6N60DM2。它不仅仅是一个参数，更是意法半导体MDmesh DM2系列技术的结晶，旨在为您带来颠覆性的性能体验。想象一下，在600V的高压下，它依然能保持极低的导通电阻和开关损耗，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，您的系统将运行得更凉爽、更持久，整体效率得到显著提升。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和照明镇流器，STU6N60DM2都能游刃有余。其5A的连续漏极电流和高达60W的功率处理能力，让它成为中高功率应用的可靠心脏。在严苛的工业环境中，它宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了极端温度下的稳定运行，大幅提升了设备的可靠性和使用寿命。选择它，就是为您的产品选择了一份应对复杂工况的保险。

那么，为何众多工程师在众多选项中青睐STU6N60DM2？答案在于其卓越的价值平衡。它采用了先进的MDmesh DM2技术，在保持高击穿电压的同时，显著优化了栅极电荷(Qg)和输出电容，这使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。更低的损耗直接转化为更小的散热器需求和更简单的热管理设计，帮助您节省空间和成本。此外，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，还能得到及时的技术支持，让您的产品开发之旅更加顺畅高效。从原型设计到量产，STU6N60DM2都是您打造高性能、高可靠性电源产品的强大基石。

• 制造商产品型号：STU6N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.1欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：274pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU6N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。