STU75N3LLH6-S

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，当您的DC-DC转换器或电机驱动系统需要处理高达75A的连续电流时，每一毫欧的导通电阻都意味着宝贵的能量被转化为热量而非动力。今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STU75N3LLH6-S，这颗源自ST意法半导体DeepGATE与STripFET VI技术家族的N沟道MOSFET，正是为应对此类严苛挑战而生。

它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效的得力助手。凭借低至5.9毫欧的导通电阻（Rds(on)），在37.5A的电流和10V的驱动电压下，它能将导通损耗降至极低水平，让更多的电能用于驱动负载，而非白白浪费。其卓越的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关应用至关重要，能显著降低开关损耗，提升系统响应速度。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率密度LED照明和电池管理保护系统，这颗芯片都能游刃有余，在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，提供可靠的性能保障。

选择STU75N3LLH6-S，意味着您选择了一种经过优化的平衡艺术。它在低导通电阻、快速开关性能和稳健的驱动能力（Vgs最大±20V）之间取得了完美平衡。其IPAK通孔封装提供了优异的散热路径和机械强度，非常适合对可靠性要求极高的工业环境。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或寻找经典替代方案的绝佳选择。通过与值得信赖的ST芯片代理合作，您依然可以获取这颗经典器件，为您的成熟设计注入持久的生命力，确保产品性能的连贯与稳定。

• 型号:STU75N3LLH6-S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU75N3LLH6-S的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。