STU75N3LLH6

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色开关性能的MOSFET而反复权衡？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍STU75N3LLH6，这颗源自意法半导体STripFET VI家族的N沟道功率器件，正是为高效能、高可靠性应用而生的卓越选择。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体表现、赢得市场竞争力的关键动力引擎。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换器或是电动工具的动力核心中，需要稳定处理高达75A的连续电流，同时将导通损耗降至最低。STU75N3LLH6凭借其仅为5.9毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在37.5A电流、10V驱动电压下展现出惊人的效率，这意味着更少的热量产生，更高的能源利用率，直接为您节省运营成本并延长设备寿命。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了即使在严苛环境下也能稳定运行，赋予您的产品无与伦比的适应性与可靠性。

无论是面对工业电机驱动中频繁的开关动作，还是汽车辅助系统里对空间与散热的高要求，这颗采用通孔I-PAK封装的MOSFET都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程快速而干净，显著降低了开关损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效比再上一个台阶。选择STU75N3LLH6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定品质。对于寻求可靠货源与专业技术支持的客户，我们作为授权的ST一级代理，不仅能确保您获得正品保障，更能提供从选型到应用的全方位服务，让您的创新之路更加顺畅。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入强劲核心竞争力的战略决策。

• 型号:STU75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU75N3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。