STU90N4F3

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时驾驭80A大电流、却将导通电阻压至仅6.5毫欧的开关核心，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与能耗革命？这正是STU90N4F3的使命所在。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体STripFET III技术的杰出代表，专为那些对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用而生。其高达110W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能在各种严酷环境下稳定输出，成为您动力系统中最值得信赖的基石。

无论是驱动迅猛的电动工具马达，还是管理服务器电源中精密的DC-DC转换，亦或是为不断电系统（UPS）和工业电机控制提供强劲而高效的开关解决方案，STU90N4F3都能游刃有余。它的N沟道设计和40V的漏源电压，完美适配中低压大电流场景，让能量传输路径上的每一分损耗都降到最低。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体频率、缩小磁性元件尺寸至关重要，直接助力您的终端产品在市场上以更小巧的体积和更长的续航脱颖而出。

选择STU90N4F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典与可靠，在仍有库存或特定延续需求的项目中，它依然是高性价比的强力候选。其通孔IPAK封装坚固可靠，便于在传统设计中集成和散热管理。当您需要为关键设计寻找这样一颗性能标杆级的功率器件时，可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供关于库存、替代方案以及技术支持的全面服务。让STU90N4F3的强悍性能，成为您产品动力心脏中最强劲的搏动，开启能效新纪元。

• 型号:STU90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU90N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。