STU95N4F3

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的损耗与温升所困扰？想象一下，一颗能够承载80A大电流，同时将导通电阻压降至仅6.5毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与能效革命？这正是STU95N4F3为您呈现的核心价值。作为ST意法半导体STripFET家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数，更是高效、可靠与功率密度的代名词。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流环节，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中的负载开关，STU95N4F3都能游刃有余。其40V的漏源电压与高达80A的连续电流处理能力，为各种中低压、大电流应用场景提供了坚实的硬件基石。更令人印象深刻的是，在10V驱动下极低的导通电阻，意味着在相同电流下，芯片自身的功耗和发热被大幅削减，这不仅提升了整体效率，更简化了您的散热设计，让产品结构更紧凑，运行更安静、更凉爽。

选择STU95N4F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。STripFET技术确保了其出色的开关性能和坚固性，而宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了它应对严苛环境挑战的强大韧性。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量市场和高端替代方案中依然极具吸引力。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购，他们能为您提供最准确的库存信息与合规的供应链保障。让这颗曾经的性能标杆，继续为您的创新产品注入强劲而高效的动力。

• 型号:STU95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU95N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。