STU9N60M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够显著提升系统表现的关键元件STU9N60M2。这款来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和优化的动态特性，正在重新定义中功率应用的性能标准。它不仅是一颗晶体管，更是您实现高效能量转换、构建稳定可靠系统的坚实基石。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STU9N60M2能够轻松应对严苛的工作环境。其780毫欧的低导通电阻（在3A，10V条件下）意味着更低的传导损耗，而仅10nC的低栅极电荷则确保了极快的开关速度和更低的驱动损耗。这两者的结合，直接转化为更低的整体功耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、寿命更长久。无论是面对工业自动化中频繁启停的电机，还是需要持续稳定输出的LED驱动，它都能游刃有余。

选择STU9N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。MDmesh II Plus技术专为降低开关损耗而优化，即使在高达150°C的结温下也能保持稳定的性能。其TO-251（IPAK）封装提供了良好的功率处理能力（60W）和便捷的通孔安装方式，兼顾了性能与生产便利性。当您需要可靠的原厂供应链支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，能确保您获得正品保障和及时的技术服务。让这颗集高效、坚固、可靠于一身的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:STU9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU9N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。