STV160NF03LT4

在追求极致效率的电源管理和电机驱动领域，您是否还在为寻找一款能在高电流下保持超低损耗、同时具备出色热性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称标杆的解决方案STV160NF03LT4。这款来自意法半导体STripFET家族的N沟道MOSFET，以其高达160A的连续漏极电流和低至2.8毫欧的导通电阻，重新定义了30V级别功率器件的性能标准。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、实现产品小型化与高可靠性的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源单元中，它如何以极低的导通损耗处理巨大的能量流，显著降低发热，让散热设计更简单，系统运行更安静稳定。在蓬勃发展的新能源车车载充电机(OBC)或低压DC-DC转换器中，其强大的电流处理能力和175°C的高结温工作能力，确保了在严苛环境下的持久耐用与安全。即便是对空间极其敏感的电动工具、无人机电调或高密度工业电源，其PowerSO封装也提供了优异的功率密度，让您在有限的空间内释放最大的功率。选择它，就是为您的核心动力模块注入了澎湃而高效的心脏。

为何众多领先企业信赖并选择STV160NF03LT4？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的Rds(on)意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性，让驱动电路设计更轻松，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。这种由内而外的性能优化，使得它在面对激烈竞争时，总能帮助您的产品在效率、温升和可靠性上脱颖而出。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目与生产的连续性。拥抱STV160NF03LT4，不仅是选择了一颗顶尖的芯片，更是选择了一条通往更高性能、更优能效产品的技术路径。

• 型号:STV160NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV160NF03LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。