STW11NB80

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流应用中的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW11NB80。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的耐压能力和11A的连续漏极电流，为工业电源、电机驱动和不间断电源（UPS）等严苛应用树立了性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您系统实现高效、稳定运行的坚实基石。

想象一下，在服务器电源的PFC电路中，或者在工业变频器的输出级，STW11NB80能够从容应对高压瞬态冲击，其出色的PowerMESH技术确保了极低的导通电阻（典型值远低于800毫欧），这意味着更低的传导损耗和更凉爽的运行温度。在电机驱动应用中，快速的开关特性和优化的栅极电荷（Qg）让您能够设计出响应更迅捷、效率更高的驱动方案，直接助力终端设备提升能效等级。即使面对复杂的电磁环境，其稳健的Vgs耐受能力（±30V）也为驱动电路提供了额外的安全裕度，让您的设计信心倍增。

选择STW11NB80，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术传承与可靠性承诺。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为特定存量项目升级或经典设计延续的优选。其经典的TO-247-3封装提供了优异的散热能力，支持高达190W的功率耗散，确保在高温高功率环境下依然稳定工作。当您需要为关键项目寻找经过时间考验的核心功率器件时，STW11NB80所代表的稳定性和性能表现，无疑是值得信赖的答案。如需获取该型号的库存或替代方案咨询，我们的ST授权代理团队将为您提供专业的技术与供应链支持。

• 型号:STW11NB80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NB80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。