STW12N120K5

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压大功率应用中的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品：STW12N120K5。这颗1200V、12A的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的MDmesh K5技术，将超低的导通电阻与极快的开关速度完美结合，为您的高压应用注入澎湃而高效的动力。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或电焊机等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高压大电流。STW12N120K5正是为此而生。其高达1200V的漏源击穿电压，提供了充足的安全裕量，确保在电网波动或负载突变时依然坚如磐石。而690毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被有效输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，也显著减轻了散热设计的压力，让您的设备运行更凉爽、更安静、寿命更长。

选择STW12N120K5，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得驱动电路设计更为简单高效，开关速度更快，进一步降低了开关损耗。TO-247经典封装提供了优异的导热路径，结合高达250W的功率耗散能力，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，从容应对各种恶劣环境。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让STW12N120K5成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12N120K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。