STW12N150K5

在追求更高能效与更可靠功率转换的今天，您的设计是否正面临高压、高功率密度与散热管理的多重挑战？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率器件之中。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STW12N150K5。它不仅仅是一个1500V耐压的N沟道MOSFET，更是工程师应对严苛工业环境的信心之选。其高达7A的连续漏极电流和250W的功率耗散能力，意味着它能在高功率应用中游刃有余，将能量损耗降至新低，让系统运行得更冷静、更持久。

想象一下，在太阳能逆变器的核心电路中，需要稳定处理来自光伏板的高压直流电；在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，要求功率开关器件在频繁启停和负载变化中保持极高的可靠性；甚至在电动汽车充电桩和焊接电源等设备里，对效率和功率密度的追求永无止境。这正是STW12N150K5大显身手的舞台。它凭借MDmesh K5超结技术的加持，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的卓越平衡。1.9欧姆的低导通电阻直接降低了传导损耗，而仅47nC的栅极电荷则显著提升了开关速度，减少了开关损耗。这一组合拳，让您的电源设计在效率竞赛中轻松领先，同时优异的TO-247封装确保了强大的散热能力，即使环境温度攀升，性能依然稳定如山。

为何众多领先企业在其关键设计中信赖并选择这款芯片？因为它带来的价值远超一个简单的元件。选择STW12N150K5，意味着您选择了一个经过市场验证的解决方案，它直接关系到终端产品的能效等级、长期运行可靠性以及整体成本控制。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了应对极端气候和恶劣工业环境的底气。从原型设计到量产，稳定的供应链和一致的高品质至关重要，这正是通过权威ST代理商进行采购所能提供的核心保障之一。让这颗集高性能、高可靠性与高价值于一体的功率MOSFET，成为您下一代绿色、高效能源解决方案中不可或缺的基石，驱动创新，赋能未来。

• 型号:STW12N150K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12N150K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。