STW12NK60Z

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STW12NK60Z。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和10A的强劲电流承载能力，为您的高压开关应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是SuperMESH系列先进技术的结晶，专为在苛刻环境中追求卓越性能的工程师而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率照明镇流器中，STW12NK60Z正默默发挥着核心作用。其高达150W的功率处理能力和150°C的结温工作范围，意味着它能在高温、高负荷的连续运行中保持冷静与稳定，极大提升了整个系统的耐用性和平均无故障时间。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的可靠性保障。

为何众多领先设计都青睐于此？关键在于其卓越的导通电阻与栅极电荷的平衡。640毫欧的低导通电阻（@5A,10V）直接转化为更低的导通损耗，而59nC的优化栅极电荷则确保了快速、高效的开关性能，两者结合，显著提升了系统的整体能效。这意味着更少的能量浪费为热量，更长的设备运行时间，以及最终为用户带来的更低运营成本。如果您正在寻找值得信赖的货源，通过官方授权的ST一级代理进行采购，是确保产品正宗、供应稳定并获得专业技术支持的最佳途径。尽管该型号已停产，但其成熟的设计和可靠的性能在诸多经典和特定应用中依然极具价值。

TO-247-3的经典封装形式，为散热设计提供了坚实的基础，让热管理变得更加轻松。无论是面对复杂的工业环境还是追求极致的能效挑战，STW12NK60Z都以其经过市场验证的强悍实力，成为您构建高效、坚固功率系统的信心之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品竞争力与品牌声誉的坚实后盾。

• 型号:STW12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。