STW12NK90Z

在追求更高能效和可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当面对严苛的高压环境，需要同时兼顾低损耗、强驱动和出色的热管理时，STW12NK90Z的出现，正是为了终结这种两难选择。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术皇冠上的一颗明珠，专为那些对性能毫不妥协的应用而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，稳定的900V高压阻断能力意味着系统拥有更宽广的安全裕度和应对浪涌的从容。高达11A的连续电流承载能力，配合仅为880毫欧的超低导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和更凉爽的运行温度。这意味着您的终端产品不仅能效更高、续航更长，其整体可靠性和寿命也将获得显著提升。这正是选择与专业ST芯片代理合作的价值所在，他们能确保您获得原厂正品和完整的技术支持，让这颗高性能芯片的潜力得到充分发挥。

无论是面对复杂的PFC（功率因数校正）电路，还是需要高效切换的开关电源拓扑，STW12NK90Z都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，同时将开关损耗控制在理想范围，让您的电源设计在效率和电磁兼容性之间找到完美平衡。TO-247-3的经典封装提供了卓越的散热路径，结合高达230W的功率耗散能力，即使在高负载、高环境温度下也能保持稳定输出，让您的设计无惧高温挑战。

所以，当您下一次为关键的高压大功率项目选型时，理由变得无比清晰：您需要的不仅是一个元件，更是一个能提升整个系统层级的解决方案。STW12NK90Z以其经过市场验证的SuperMESH技术、意法半导体的卓越品质和面向未来的性能参数，为您提供了坚实的硬件基石。选择它，就是选择更高的效率、更强的鲁棒性和更持久的产品生命力，让您的创新设计在激烈的市场竞争中，从一开始就占据性能制高点。

• 型号:STW12NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:880 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:152 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。